久久精品人人做人人爽电影蜜月,国产精品内射婷婷一级二,99久久99视频只有精品99

首頁 >AW3112DNR>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
AW3112DNR	文件：1.24052 Mbytes Page：12 Pages	Marking：AW12；Package：DFN2x2mm-6L；30 V / 3 A low saturation PNP trIpole integrated with NMOSFET	AWINICShanghai awinic technology co.,ltd 艾為電子上海艾為電子技術(shù)股份有限公司	AWINIC
BA3112	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications ?CDAmplifiers ?Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
C3112	文件：73.72 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP/CL3P ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用電氣公司美國通用電氣公司	GENERAL
CBC3112	文件：212.56 Kbytes Page：1 Pages	AmbiqAM1803RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBET Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：202.48 Kbytes Page：1 Pages	MicrochipMDP79410RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBET Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：1.04547 Mbytes Page：16 Pages	EnerChipCCwithIntegratedPowerManagement	CYMBET Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：288.94 Kbytes Page：3 Pages	EnerChipCCBackupPowerforEpsonRX-8564Real-TimeClock	CYMBET Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：205.64 Kbytes Page：1 Pages	EpsonRX-8564RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBET Cymbet Corporation	CYMBET
CEB3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3112	文件：426.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,11.9A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC3112	文件：946.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,37.8A,RDS(ON)=9.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CM3112	文件：277.42 Kbytes Page：14 Pages	150mA/1.2VCMOSLDORegulator ProductDescription TheCM3112-12isalowquiescentcurrent(90uA)regulatorthatdeliversupto150mAofloadcurrentatafixed1.2Voutput.Allthenecessarycircuitryhasbeenincludedtodelivera50?powergoodsignal(opendrain)whichremainsfor5msaftertheoutputhasexceeded90(typ	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CPH3112	文件：54.05 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features ?AdoptionofMBITprocesses. ?Highcurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.9mm). ?Highallowablepowerdissipation. Applications ?Relaydriv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
DMN3112S	文件：185.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance: ?57m?@VGS=10V ?112m?@VGS=4.5V ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN3112S	文件：144.85 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance: 57m?@VGS=10V 112m?@VGS=4.5V ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?GreenDevice(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMN3112SSS	文件：194.07 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?57m?@VGS=10V ?112m?@VGS=4.5V ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note4) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	AW3112DNR	AWINIC	21+	DFN	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市富利微電子科技有限公司	AW3112DNR	AWINIC	23+	DFN	33500	全新進口原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	AW3112DNR	AW	24+	DFN22-6L	12000	原裝正品價格優(yōu)勢	詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	AW3112DNR	AWINIC	23+	QFN	15000	一級代理原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	AW3112DNR	AWINC	22+	QFN	20000	深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	AW3112DNR	AWINIC(艾為)	2112+	DFN-6L	105000	3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	AW3112DNR	AWINIC	21+	QFN	2965	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市珩瑞科技有限公司	AW3112DNR	AWINIC	21+	QFN	6000	原裝正品	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	AW3112DNR	AWINIC	23+	QFN	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市星佑電子有限公司	AW3112DNR	AWINIC	21+	DFN	10000	全新原裝公司現(xiàn)貨價格優(yōu)	詢價

更多AW3112DNR供應(yīng)商更新時間2025-1-17 16:50:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存