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AXIS135M	文件：101.29 Kbytes Page：3 Pages	VCXO in DIL8 package	AXTALAdvanced XTAL Products advanced XTAL Products	AXTAL
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BAQ135	文件：129.8 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,LowLeakageCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BAQ135	文件：175.75 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,LowLeakageCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BAQ135	文件：484.243 Kbytes Page：2 Pages	30VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
BAQ135	文件：100.49 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,LowLeakageCurrent FEATURES ?Siliconplanardiodes ?Verylowreversecurrent ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS Protectioncircuits,timedelaycircuits,peakfollower circuits,logarithmicamplifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BAY135	文件：371.15 Kbytes Page：2 Pages	200mAAxialLeadedSmallSignalSwitchingDiodes Features ●SiliconPlanarDiode ●Verylowreversecurrent ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
BAY135	文件：77.21 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode,HighVoltage FEATURES ?Siliconplanardiode ?Verylowreversecurrent ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BAY135-TAP	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BB135	文件：53.78 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES ?Excellentlinearity ?VerysmallplasticSMDpackage. ?C28:1.9pF;ratio:10	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB135	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BCR135	文件：51.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
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更多AXIS135M供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 9:30:00

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