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AXP192	文件：453.69 Kbytes Page：4 Pages	Single Cell Li-Battery and Power System Management IC	XPOWERShenzhen X-Powers Technology Co ., Ltd 芯智匯深圳芯智匯科技有限公司	XPOWER
AXP192	文件：1.17393 Mbytes Page：53 Pages	Enhanced single Cell Li-Battery and Power System Management IC	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BC192	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BCR192	文件：35.29 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR192	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BCR192	文件：841.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR192F	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR192F	文件：231.04 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BCR192U	文件：115.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：34.76 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR192W	文件：231.04 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR192W	文件：841.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH192	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當科技亞當科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSS192	文件：75.16 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSS192	文件：64.26 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT89package. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?Linecurrentinterrupterintelephonesets ?Relay,high-speedandlinetransformer	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSS192	文件：372.5 Kbytes Page：16 Pages	240V,P-channelverticalD-MOStransistor 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDouble-DiffusedField-EffectTransistor(DMOSFET) inaSOT89(SC-62)mediumpowerandflatleadSurfaceMountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?DirectinterfacetoComplementary(C-MOS)transitorandTransisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA

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