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B11G3338N80DYZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

B11G3338N80DYZ
廠商型號(hào)

B11G3338N80DYZ

參數(shù)屬性

B11G3338N80DYZ 封裝/外殼為36-QFN 裸焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:B11G3338N80DYZ/PQFN-12X7/REELDP

功能描述

LDMOS 3-stage integrated Doherty MMIC
B11G3338N80DYZ/PQFN-12X7/REELDP

封裝外殼

36-QFN 裸焊盤

文件大小

1.30833 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 16:50:00

B11G3338N80DYZ規(guī)格書詳情

B11G3338N80DYZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的B11G3338N80DYZ晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

The B11G3338N80D is a dual section 3-stage fully integrated Doherty MMIC solution

using Ampleon's state of the art LDMOS technology. The carrier and peaking device, input

splitter, output combiner and pre-match are integrated in each section. This multiband

device is perfectly suited as general purpose driver in the frequency range 3300 MHz to

3800 MHz. Available in PQFN outline.

Features and benefits

? Integrated input splitter

? Integrated output combiner

? 25 ? output impedance thanks to integrated pre-match

? Designed for wideband operation

? High linearity

? Independent control of carrier and peaking bias

? Integrated ESD protection

? Integrated bias gate switch

? Source impedance 50 ?; high power gain

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? Macrocell base station driver

? Microcell base station

? 5G mMIMO

? W-CDMA/LTE

? Active antenna

? General purpose applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    B11G3338N80DYZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 3.8GHz

  • 增益:

    38dB

  • 額定電流(安培):

    1.4μA

  • 封裝/外殼:

    36-QFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-PQFN(12x7)

  • 描述:

    B11G3338N80DYZ/PQFN-12X7/REELDP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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