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B160F	文件：1.21808 Mbytes Page：6 Pages	Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 1.0A ReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardringforover	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B160L	文件：288.536 Kbytes Page：2 Pages	1A60VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
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B160N	文件：139.24 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features: SurfaceMountedApplications Metal-SemiconductorJunctionwithGuardring EpitaxialConstruction LowLeakageCurrent HighCurrentCapability PlasticMaterialHasULFlammabilityClassification94V-0 *ForUsein,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityPro	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B160N	文件：562.42 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
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B160WG-SL	文件：504.95 Kbytes Page：4 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B160W-S	文件：91.36 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
B160W-ST	文件：92.41 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
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BAT160	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES ?Lowswitchinglosses ?Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent ?Fastrecoverytime ?Guardringprotected ?PlasticSMDpackage. APPLICATIONS ?Lowpowerswitched-modepower	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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BAT160A	文件：196.84 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowswitchinglosses ?Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent ?Fastrecoverytime ?Guardringprotected ?Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAT160C	文件：192.04 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES ?Lowswitchinglosses ?Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent ?Fastrecoverytime ?Guardringprotected ?PlasticSMDpackage. APPLICATIONS ?Lowpowerswitched-modepower	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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更多B160F供應商更新時間2024-11-15 14:36:00

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