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B1D05120E中文資料基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

B1D05120E
廠商型號

B1D05120E

功能描述

SiC Schottky Diode

絲印標識

B1D05120E

封裝外殼

TO-252-2

文件大小

1.38979 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

BASICSEMI基本半導(dǎo)體

中文名稱

深圳基本半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 16:15:00

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B1D05120E規(guī)格書詳情

Features

Extremely low reverse current

No reverse recovery current

Temperature independent switching

Positive temperature coefficient on VF

Excellent surge current capability

Low capacitive charge

Switch mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies

Motor drivers

Power factor correction

Applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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