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B230BE	文件：315.63 Kbytes Page：6 Pages	2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DescriptionandApplications TheSchottkyrectifierprovidinglowVFandexcellentreverseleakagestabilityathightemperatures,thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplicationssuchas: ?BoostDiode ?BlockingDiode ?RecirculatingDiode FeaturesandBenefits ?Reduced	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
B230BE-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：DO-214AA，SMB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB	PAM Diodes Incorporated	PAM
B230LA	文件：58.84 Kbytes Page：2 Pages	High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier FEATURES ?Lowprofilepackage ?Idealforautomatedplacement ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/E	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
B230LA	文件：78.05 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
B230LA	文件：102.73 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
B230LA	文件：77.25 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier FEATURES ?Lowprofilepackage ?Idealforautomatedplacement ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C ?Materialcategorization:Fordefiniti	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
B230LA	文件：89.66 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyRectifier FEATURES ?Lowprofilepackage ?Idealforautomatedplacement ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
B230LB	文件：266.02 Kbytes Page：2 Pages	LOVFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰實(shí)業(yè)有限公司	PACELEADER
B230M	文件：1.0583 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0UtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofML-S-19500/228 Lowleakagecurrent	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B230Q	文件：286.74 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas: ?PolarityProtectionDiode ?Re-CirculatingDiode ?SwitchingDiode ?BlockingDiode ?FreewheelDiode FeaturesandBenefit	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BD230	文件：108.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD231 ?Highcurrent(Max:1.5A) ?Lowvoltage(Max:80V) APPLICATIONS ?DrivestageinTVcircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD230	文件：109.06 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.15A ?ComplementtoTypeBD227/229/231 APPLICATIONS ?Designedforuseindriverstagesintelevisioncircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD230	文件：44.19 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistor DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD227,BD229andBD231. FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesintelevisioncircuits.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BD230	文件：109.63 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD230	文件：134.44 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.15A ?ComplementtoTypeBD227/229/231 APPLICATIONS ?Designedforuseindriverstagesintelevisioncircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BPS230	文件：841.81 Kbytes Page：9 Pages	2mmHumiditySensor	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BR230SUR	文件：476.65 Kbytes Page：2 Pages	BRSurgeBreaker Features&Benefits: ?Completehomesurge protectionforallcircuitsplus afunctional2-polethermal magneticbreaker ?Directconnectiontothe busbarprovidessuperior protectionandeasyinstallation fornewconstructionor renovation ?MeetsbothUL489aswell asUL14493rdEdi	EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司	EATON
BR230SURA	文件：476.65 Kbytes Page：2 Pages	BRSurgeBreaker Features&Benefits: ?Completehomesurge protectionforallcircuitsplus afunctional2-polethermal magneticbreaker ?Directconnectiontothe busbarprovidessuperior protectionandeasyinstallation fornewconstructionor renovation ?MeetsbothUL489aswell asUL14493rdEdi	EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司	EATON
BSP230	文件：95.42 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?Linecurrentinterruptorintelephonesets ?Relay,highspeedandlinetransfor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSP230	文件：1.04995 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-300V ●ID=-0.21A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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