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B305D	文件：86.79 Kbytes Page：1 Pages	Elektronické sou?ástky z dovozu	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
B305N	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
B305N	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
B305P	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
B305P	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
BA305	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES ?InputπFilter ?FullyRegulatedOutputs ?IndustryStandardPinouts ?5,12,24,28,and48VDCInputs ?RippleandNoiseLessThan50mVpp ?Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BB305C	文件：66.68 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbin	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB305C	文件：213.52 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BB305CEW-TL-E	文件：213.52 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BB305M	文件：212.42 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbing	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BB305M	文件：69.59 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbing	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB305MEW-TL-E	文件：212.42 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Superiorcrossmodulationcharacteristics. ?Highgain;(PG=28dBtyp.atf=200MHz) ?Widesupplyvoltagerange;Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbing	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BD305N	文件：1.31669 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
BD305P	文件：1.31667 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
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