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B3D20120H中文資料基本半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

B3D20120H
廠商型號

B3D20120H

功能描述

SiC Schottky Diode

絲印標識

B3D20120H

封裝外殼

TO-247-2

文件大小

1.5181 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

BASICSEMI基本半導體

中文名稱

深圳基本半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 23:00:00

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B3D20120H規(guī)格書詳情

Features

Low leakage current (IR)

Zero reverse recovery current

Temperature independent switching behavior

Positive temperature coefficient on VF

High surge current capacity

Low capacitive charge

Applications

Switch mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies

Server/telecom power supplies

Power factor correction

Solar

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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