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5P6J-Z	文件：1.24419 Mbytes Page：6 Pages	5ASMALLMOLDTHYRISTOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
5P6M	文件：414.51 Kbytes Page：4 Pages	5A(8Ar.m.s)Thyristor SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
5P6M	文件：396.47 Kbytes Page：6 Pages	2APLASTICMOLDEDTHYRISTOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
5P6M	文件：301.28 Kbytes Page：5 Pages	Blockingvoltageto600V Description StandardgatetriggeringSCRisfullyisolatedpackagesuitablefortheapplicationwhererequiring highbidirectionalblockingvoltagecapabilityandalsosuitableforovervoltageprotection,motor controlcircuitinpowertool,inrushcurrentlimitcircuitandheatingcontrolsys	HAOPINHAOPIN MICROELECTRONICS CO.,LTD 好品微電子深圳市好品微電子有限公司	HAOPIN
5P6M	文件：130.979 Kbytes Page：1 Pages	Triacssensitivegate GENERALDESCRIPTION Passivatedthyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseinapplicationsrequiringhighbidirectionalblockingvoltagecapabilityandhighthermalcyclingperformance.Typicalapplicationsincludemotorcontrol,industrialdomesticlighting,heatingandstaticandsw	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
5P6SM	文件：1.49581 Mbytes Page：8 Pages	THYRISTORS 5AMOLDISOLATEDTHYRISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
5P6SMA	文件：406.11 Kbytes Page：8 Pages	5ARESINMOLDTYPESCR DESCRIPTION The5P4SMAand5P6SMAareresinmoldtypeSCRswithan averageon-statecurrent5A(TC=94°C),repetitivepeakoffstate voltage400Vand600V. FEATURES ?CanbereplacedwithTO-220ABpackage ?Highallowableon-currentwhenusingasingleunit APPLICATIONS ?Motorspeedco	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
5P6SMA	文件：1.49581 Mbytes Page：8 Pages	THYRISTORS 5AMOLDISOLATEDTHYRISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
5P6SMA	文件：251.34 Kbytes Page：6 Pages	PgateallDiffusedmoldtypeThyristorgranted5Aon-stateAveragecurrent,withratedVoltagesupto600V	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
SS5P6	文件：108.19 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveordering	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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