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BA12003BF-E2

7CircuitsDarlintonTransistorArray

GeneralDescription BA12003B/BF,BA12004B/BFaredarlintontransistorarray consistof7circuits,inputresistortolimitbasecurrentand outputsurgeabsorptionclampdiode. Features ■Built-in7circuits ■Highoutputbreakdownvoltage ■HighDCoutputcurrentgain ■Built-ininputres

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BA12003BF-E2

Highvoltage,highcurrentDarlingtontransistorarray

TheBA12001B,BA12003B,BA12003BF,andBA12004Barehighvoltage,highcurrent,highsustainvoltagetransistorarraysconsistingofsevencircuitsofDarlingtontransistors. Becauseitincorporatesbuilt-insurge-absorbingdiodesandbasecurrent-controlresistorsneededwhenusinginductiveloa

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多BA12003BF-E2IC供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 14:00:00

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