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BA1A3Q	文件：103.36 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUND TRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=1.0k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithBN1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
BA1A3Q	文件：258.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUND TRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) ?ComplementarytransistorwithBN1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BB1A3M	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
BN1A3Q	文件：263.99 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) ?ComplementarytransistorwithBA1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BN1A3Q	文件：109.5 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?On-chipbiasresistor (R1=1.0k?,R2=10k?) ?ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
BP1A3M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
CE1A3Q	文件：338.85 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES ?On-chipzenerdiodeforsurgevoltageabsorption ?On-chipbiasresistor:R1=1.0k?,R2=10k? ?Lowpowerconsumptionduringdriving: VOL=0.12V@VI=5.0V,IC=0.5A ?On-chipdumperdiodeforreversecable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
CE1A3Q	文件：125.73 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR TheCE1A3Qisatransistorofon-chiphighhFEresistorincorporatingdumperdiodeincollectortoemitterandzenerdiodeincollectortobaseasprotectelements.ThistransistorisidealforactuatordrivesofOAequipmentsandelectricequipments. FEATURES ?On-chipzenerdiodeforsur	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
F1A3	文件：126.29 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
F1A3	文件：152.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
F1A3	文件：140.72 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.FASTRECOVRYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 濟(jì)南固锝電子濟(jì)南固锝電子器件有限公司	JGD
F1A3G	文件：137.18 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 濟(jì)南固锝電子濟(jì)南固锝電子器件有限公司	JGD
FA1A3Q	文件：290.6 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
FA1A3Q	文件：161.18 Kbytes Page：4 Pages	SILICONTRANSISTOR FEATURES ?ResistorsBuilt-inTYPE ?ComplementarytoFN1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
FB1A3M	文件：111.96 Kbytes Page：8 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES ?Upto0.7Acurrentdriveavailable ?On-chipbiasresistor ?Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
FN1A3Q	文件：285.96 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
FN1A3Q	文件：156.62 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPEPNPTRANSISTORMINIMOLD? MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPEPNPTRANSISTORMINIMOLD FEATURES ?ResistorsBuilt-inTYPE ?ComplementarytoFA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
FP1A3M	文件：146.33 Kbytes Page：8 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES ?Upto0.7Acurrentdriveavailable ?On-chipbiasresistor ?Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
FSE-1A3-K	文件：97.41 Kbytes Page：3 Pages	Space-savingPlug-inSignalConditionersF-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
FSE-1A3-K/Q	文件：97.41 Kbytes Page：3 Pages	Space-savingPlug-inSignalConditionersF-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM

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晶體管資料

型號：
BA1A3Q...L4Z
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）
封裝形式：
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

詳細(xì)參數(shù)

型號：
BA1A3Q
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
COMPOUND TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BA1A3Q	NEC	24+	TO-92S	200000		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	BA1A3Q	NEC	24+	TO-92S	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BA1A3Q	NEC	23+	TO-92S	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	BA1A3Q	NEC	23+		2800	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	BA1A3Q-T/JM	NEC	22+	TO-92S	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	BA1A3Q-T/JM	NEC	22+	TO-92S	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BA1A4M	NEC	24+	TO-92S	31500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	BA1A4M	NEC	03+	TO92	210		詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	BA1A4M	NEC	23+	NA/	170	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BA1A4M	NEC	22+	TO92	12000	只做原裝、原廠優(yōu)勢渠道、假一賠十	詢價(jià)

更多BA1A3Q供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:30:00

晶體管資料

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