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BA3120F	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	Monolithic IGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications ?CDAmplifiers ?Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BA3120N	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications ?CDAmplifiers ?Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BPDV3120R	文件：672.88 Kbytes Page：6 Pages	70GHzBalancedPhotodetector	Finisar Finisar Corporation.	Finisar
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CC3120	文件：1.70073 Mbytes Page：57 Pages	SimpleLinkWi-FiWirelessNetworkProcessorInternet-of-ThingsSolutionforMCUApplications	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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CC3120MODRNMMOBR	文件：2.0633 Mbytes Page：52 Pages	SimpleLinkWi-FiCERTIFIEDNetworkProcessorInternet-of-ThingsModuleSolutionforMCUApplications	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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CC3120RNMARGKT/R	文件：1.70073 Mbytes Page：57 Pages	SimpleLinkWi-FiWirelessNetworkProcessorInternet-of-ThingsSolutionforMCUApplications	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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CEB3120	文件：434.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15m?@VGS=10V. RDS(ON)=22m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3120	文件：864.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=15m?@VGS=10V. RDS(ON)=22m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM3120	文件：879.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP3120	文件：949.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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詳細參數(shù)

型號：
BA3120F
制造商：
ROHM
制造商全稱：
Rohm
功能描述：
Monolithic IGs

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BA3120F供應(yīng)商更新時間2024-10-23 16:39:00

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