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BAP64-06-HF	文件：1.1892 Mbytes Page：3 Pages	PIN Diodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BAP64-06W	文件：650.4 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURE ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz APPLICATION ●RFattenuatorsandswitches	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BAP64-06W	文件：63.96 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinaSOT323smallSMDplasticpackage. FEATURES ?Highvoltage,currentcontrolled ?RFresistorforRFattenuatorsandswitches ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Lowseriesinductance ?Forapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BAP64-06W	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePinDiodes200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BAP64-06W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BAP64-06W	文件：517.13 Kbytes Page：3 Pages	Lowdiodecapacitance Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BAP64-06WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BAP64-06WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAR64-06	文件：494.53 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiodes ?HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches ?Frequencyrangeabove1MHzupto3GHz ?Lowresistanceandlongcarrierlifetime ?Verylowcapacitanceatzerovoltsreversebiasatfrequenciesabove1GHz ?Verylowsignaldistortion	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：41.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiode Features ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BAR64-06	文件：269.71 Kbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：1.01163 Mbytes Page：16 Pages	HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches SiliconPINDiode ?HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches ?Frequencyrangeabove1MHzupto6GHz ?Verylowcapacitanceatzerovoltreversebiasatfrequenciesabove1GHz(typ.0.17pF) ?Lowforwardresistance(typ.2.1?@10mA) ?Verylowsignald	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：1.72559 Mbytes Page：4 Pages	PINDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BAR64-06	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：89.48 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPINDiode(HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswirchesFreqencyrangeabove1MHz) SiliconPINDiode ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BAR64-06	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BAR64-06W	文件：1.01163 Mbytes Page：16 Pages	HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches SiliconPINDiode ?HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches ?Frequencyrangeabove1MHzupto6GHz ?Verylowcapacitanceatzerovoltreversebiasatfrequenciesabove1GHz(typ.0.17pF) ?Lowforwardresistance(typ.2.1?@10mA) ?Verylowsignald	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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更多BAP64-06-HF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:02:00

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