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BAR2501D	文件：234.96 Kbytes Page：1 Pages	25 AMP SOZA DIODE CELLS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BD2501	文件：48.32 Kbytes Page：3 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowLeakage ●LowCost ●HighSurgeCurrentCapability ●TypicalIRlessthan5.0μA	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
BD2501	文件：30.14 Kbytes Page：2 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
BD2501	文件：32.24 Kbytes Page：2 Pages	25ABOSCHTYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
BD2501G	文件：40.68 Kbytes Page：2 Pages	25AGLASSPASSIVATEDBOSCHTYPEPRESS-FITDIODE GlassPassivatedDieConstruction LowLeakage LowCost HighSurgeCurrentCapability TypicalIRlessthan5.0μA	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
BR2501	文件：20.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR2501	文件：34.49 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR2501	文件：82.37 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BR2501	文件：101.92 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR2501	文件：96.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-10/15/25/35/50Amperes FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONte	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BR2501	文件：193.27 Kbytes Page：2 Pages	AMPSiliconBridgeRectifiers VOLTAGE50V~1000V 10/15/25/35/50AMPSiliconBridgeRectifiers FEATURES .Surgeoverload240~400Amperespeak .Lowforwardvoltagedrop .MountingPosition:Any .Electricallyisolatedbase–2000volts .Solderable0.25”FASTONterminals .Materialsusedca	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BR2501	文件：81.87 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BR2501	文件：34.68 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
BR2501	文件：402.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR2501	文件：451.45 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT25.0Ampere	KINGTRONICSKingtronics International Company 金力金力國際公司	KINGTRONICS
BR2501	文件：100.14 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BR2501	文件：159.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers Features ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto300Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202method208 ◇Mounting:thruholefor#8screwmou	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
BR2501	文件：224.7 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES ◆Highforwardsurgecurrentcapability. ◆Lowthermalresistance. ◆Highisolationvoltagefromcasetolugs. ◆Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10second,at5lbs.(2.3kg)tension	SUNTAN suntan	SUNTAN
BR2501	文件：609.72 Kbytes Page：2 Pages	Idealforprintedcircuitboard FEATURES ◆Highforwardsurgecurrentcapability. ◆Lowthermalresistance. ◆Highisolationvoltagefromcasetolugs. ◆Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10second,at5lbs.(2.3kg)tension	SUNTAN suntan	SUNTAN
BR2501	文件：162.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BAR2501D
制造商：
DEC
制造商全稱：
DEC
功能描述：
25 AMP SOZA DIODE CELLS

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市易訊博科技有限公司	BAR28		22+	NA	3000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
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深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	BAR28	STM	23+		33500		詢價
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更多BAR2501D供應(yīng)商更新時間2025-1-14 10:08:00

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