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BAR6405WE6327BTSA1

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR6405WE6433HTMA1

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR6405WH6327XTSA1

Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 二極管 - 射頻 描述：RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BOXER-6405

FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel?Celeron/Pentium?Processor

Features ■SlimBoxerDesign:37mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount

AAEONAAEON Technology

研揚科技研揚科技（蘇州）有限公司

BOXER-6405M

FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel?Celeron?/Pentium?Processor

Features ■SlimBoxerDesign:42mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount

AAEONAAEON Technology

研揚科技研揚科技（蘇州）有限公司

CEB6405

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED6405

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM6405

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-5.7A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=68mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP6405

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU6405

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    BAR6405WE6433HTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    PIN - 1 對共陰極

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    150V

  • 不同?Vr、F 時電容：

    0.35pF @ 20V，1MHz

  • 不同?If、F 時電阻：

    1.35 歐姆 @ 100mA，100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    PG-SOT323

  • 描述：

    RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon Technologies
23+
SOT-323
13000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
INFINEON
1503+
SOT323-3
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
Infineon
22+
NA
2118
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 詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
 詢價
INFINEON
23+
PG-SOT323-3
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
PG-SOT323-3
7000
詢價
Infineon
20+
NA
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
INFINEON
22+
NA
8000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
Infineon
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
英飛凌
報價為準
INF
35
國外訂貨7-10個工作日
 詢價
更多BAR6405W供應商 更新時間2025-2-11 10:02:00

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