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BAS116HM	文件：1.05113 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BAS116HMFH	文件：1.05161 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BAS116HY	文件：1.48135 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BAS116HYFH	文件：1.48155 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BAS116L	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features ?LowLeakageCurrentApplications ?MediumSpeedSwitchingTimes ?Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS116L	文件：679.54 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS	文件：218.95 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Switchingtime:max.trr=3μs ?Lowleakagecurrent:max.IR=5nA ?Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS-Q	文件：219.22 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Switchingtime:max.trr=3μs ?Lowleakagecurrent:max.IR=5nA ?Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS116QA	文件：687.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mWSMDSwitchingDiode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BAS116RFG	文件：206.57 Kbytes Page：4 Pages	225mW,SMDSwitchingDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?VeryLowLeakageCurrent ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	Singlelowleakagecurrentswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS116TW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES ?Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ?Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. ?Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BAS116UDJ	文件：103.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage(1.0x0.8mm) ?Ultra-LowProfilePackage(0.45mm) ?UltraLowLeakageCurrent(5nA@VR=75V) ?LowCapacitance ?IdealforBatteryPoweredPortableApplications ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?HalogenandAntimonyFreeGreenDe	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion ?VeryLowLeakageCurrent ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData ?Case:SOT563 ?CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”Mo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BAS116H T/R
功能描述：
二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE LOW LEAKAGE TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
產(chǎn)品：
Switching Diodes
峰值反向電壓：
600 V
正向連續(xù)電流：
200 A
最大浪涌電流：
800 A
恢復(fù)時間：
2000 ns
正向電壓下降：
1.25 V
最大反向漏泄電流：
300 uA
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
ISOTOP
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	BAS116H115	NEXPERIA	1809+	SOD-123	6675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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更多BAS116H T/R供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

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