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BSN20.215

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Productavailability: BSN20inSOT23. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多BAS20.215供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 16:00:00