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BAT63-02V

Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies

?LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies ?Pb-free(RoHScompliant)package

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

Silicon Schottky Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

Silicon Schottky Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAP63-02

SiliconPINdiode

Features ●HighspeedswitchingforRFsignals ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Verylowseriesinductance. ●Forapplicationsupto3GHz.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BAP63-02

SiliconPINdiode

DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAP63-02

SiliconPINdiode

DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BAP63-02

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiode(PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals,Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance)

SiliconPINDiode ?PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ?Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance ?Verylowcapacitance ?Forfrequenciesupto3GHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BAT63-02V

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Silicon Schottky Diode

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
37048
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價
INFINEON
23+
SC79-2
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
21+
SC79-2
23000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
SOD-523
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
2022
SOD-523
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
SC79
14253
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
ZXV
SC-79
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
9250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價
更多BAT63-02V供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 23:00:00

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