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BB141	文件：44.19 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltage variable capacitance diode DESCRIPTION TheBB141isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinthe SOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES ?Excellentlinearity ?UltrasmallplasticSMDpackage ?C4:2.38pF;ratio:1.76 ?Lowseriesresistance. APPLICATIONS	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB141	文件：126.74 Kbytes Page：2 Pages	Low-voltage variable capacitance diode DESCRIPTION TheBB141isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES ?Excellentlinearity ?UltrasmallplasticSMDpackage ?C4:2.38pF;ratio:1.76 ?Lowseriesresistance. APPLICATIONS	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC
BB141,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-79，SOD-523 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 可變電容（變?nèi)萜?，可變電抗器?描述：DIODE VAR CAP 6V SOD-523	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BC141	文件：58.73 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION TheBC141isasiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39metalcase.Theyareparticularlydesignedforaudioamplifiersandswitchingapplicationupto1A.ThecomplementaryPNPtypeistheBC161.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BC141	文件：50.5 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaTO-39metalpackage. PNPcomplements:BC160andBC161. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC141	文件：141.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSILICONTRANSISTOR	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BC141	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
BC141	文件：144.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC141	文件：185.48 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS GENERALPURPOSETRANSISTORS TheyaresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsmountedinTO-39metalpackage. Theyareparticularydesignedforaudioamplifiersandswitchingapplicationsupto1A. PNPcomplementsaretheBC160–BC161. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BC141	文件：68.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaTO-39metalpackage. PNPcomplements:BC160andBC161. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BC141	文件：87.05 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
BC141	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BC141	文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeTransistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BCR141	文件：497.22 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=22k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR141	文件：35.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=22k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BCR141	文件：872.44 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR141F	文件：497.22 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=22k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR141F	文件：248.02 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR141S	文件：43.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interface,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interface,drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=22k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BCR141S	文件：497.22 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=22k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BB141
制造商：
LRC
制造商全稱：
Leshan Radio Company
功能描述：
Low-voltage variable capacitance diode

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深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	BB141	NXP/恩智浦	22+	SOD523	600000	航宇科工半導(dǎo)體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴!	詢價(jià)
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