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BB501MAS-TL-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BB501MAS-TL-E
廠商型號

BB501MAS-TL-E

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

文件大小

300.86 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-12 11:40:00

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BB501MAS-TL-E規(guī)格書詳情

Features

? Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

? High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MHz

? Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MHz

? Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

? Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BB501MAS-TL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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