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BD644	文件：369.32 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD644	文件：111.79 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD644	文件：124.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=-3A ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoTypeBD643 APPLICATIONS ?DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
BLF644P	文件：951.92 Kbytes Page：12 Pages	BroadbandpowerLDMOStransistor Generaldescription A70WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitter,communicationsand industrialapplications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1300MHz. Theexcellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfor digitalapplicatio	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BUF644	文件：92.27 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BUF644	文件：309.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.2V(Max)@IC=1.3A APPLICATIONS ·Electroniclampballastcircuits ·Switch-modepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
C644	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CMX644A	文件：1.18019 Mbytes Page：34 Pages	V.22andBell212AModem	CMLMICRO CML Microcircuits	CMLMICRO
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