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BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BR106	文件：23.02 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BR106	文件：119.96 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BR106	文件：145.32 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	BYTES Bytes	BYTES
BR106	文件：581.65 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-10Amperes FEATURES Surgeoverloadrating:200Amperespeak Lowforwardvoltagedrop	DCCOM Dc Components	DCCOM
BR106	文件：29.97 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
BR106	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BR106	文件：42.94 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：10.0A FEATURES ?Surgeoverloadratings-250Amperes ?Lowforwardvoltagedrop	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
BR106	文件：60.51 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	UNIOHMUniohm 臺(tái)灣厚聲	UNIOHM
BR106	文件：228.72 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10Amperes FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboard ●Highisolationvoltagefromcasetoleads ●Hightemperaturesoldering	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛電子深圳市平盛電子有限公司	PFS

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晶體管資料

型號：
BBCC106E
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
50HZ－Thy
性質(zhì)：
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
500V
最大電流允許值：
3.2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
MCR72,S4060,TAG623,TAG628,TIC106,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
500
htest：
999900
atest：
3.2
wtest：
0

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	BBCL	NULL	04+/05+	SOT-23	1518	全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
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更多BBCC106E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-9 9:16:00

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