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BCR116	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=47k?) ?BCR116S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR116S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BD116	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BTS116	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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