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BAP63-02	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BAP63-02	文件：36.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINdiode Features ●HighspeedswitchingforRFsignals ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Verylowseriesinductance. ●Forapplicationsupto3GHz.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BAP63-02	文件：69.6 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BAP63-02	文件：242.16 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BAR63-02L	文件：180.16 Kbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR63-02L	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiodes ●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR63-02L	文件：1.05277 Mbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR63-02L	文件：1.05277 Mbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAR63-02V	文件：1.05277 Mbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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