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BC182L	文件：62.56 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR BC182BC182L->PNP BC212,BC212L->PNP	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC182L	文件：26.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. ?Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC182L	文件：250.49 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors [multicomp] GeneralDescription: ?GeneralPurposeNPNSiliconPlanarEpitaxialAmplifiersTransistors.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BC182L	文件：71.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. ?Sourcedfromprocess10.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BC182L	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BC182L	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC182LA	文件：133.96 Kbytes Page：1 Pages	3LDTO-92,MOLDEDSTDSTRAIGHTLD SILICONNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR BVCEO....50V(Min) hFE....80(Min)@VCE=5.0V,IC=100mA	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC182LB	文件：27.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationat collectorcurrentsto100mA. ?Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC182LB	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BD182	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BD182	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD182	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF182	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF182	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF182	文件：379.51 Kbytes Page：5 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFP182	文件：60.08 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP182	文件：78.93 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP182	文件：134.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP182R	文件：87.74 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP182R	文件：58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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晶體管資料

型號：
BC182K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
>150MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC174,BC190,BC546,3DG130B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍數(shù)：
β=500
圖片代號：
C-62
vtest：
60
htest：
150000100
atest：
0.2
wtest：
0.3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BC182KA	NATIONALSEMICONDUCTORS	23+		3818	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
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更多BC182K供應(yīng)商更新時間2025-1-12 11:09:00

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