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BFR183

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentfrom2mAto30mA)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR183

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR183

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR183

iscSiliconNPNRFTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFR183F

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz *Shorttermdescription

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC183C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC183C供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 10:50:00

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