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DG213	文件：98.61 Kbytes Page：7 Pages	QuadComplementaryCMOSAnalogSwitch Description TheversatileDG213analogswitchhastwoNCandtwoNOswitches.Itcanbeusedinvariousconfigurations,includingfoursingle-polesingle-throw(SPST),twosingle-poledouble-throw(SPDT),one“T”switch,oneDPDT,etc.ThisdeviceisfabricatedinaSiliconix’proprietaryhigh-vo	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
DG213	文件：262.32 Kbytes Page：14 Pages	QuadComplementaryCMOSAnalogSwitch FEATURES ?±22Vsupplyvoltagerating ?TTLandCMOScompatiblelogic ?Lowon-resistance-rDS(on):45Ω ?Lowleakage-ID(on):20pA ?Singlesupplyoperationpossible ?Extendedtemperaturerange ?Fastswitching-tON:85ns BENEFITS ?Lowchargeinjection-Q:1pC ?Wideanalo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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DG213DJ	文件：87.16 Kbytes Page：8 Pages	QuadComplementaryCMOSAnalogSwitch DESCRIPTION TheversatileDG213analogswitchhastwoNCandtwoNOswitches.Itcanbeusedinvariousconfigurations,includingfoursingle-polesingle-throw(SPST),twosingle-poledouble-throw(SPDT),one“T”switch,oneDPDT,etc.ThisdeviceisfabricatedinaVishaySiliconix’proprietary	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BC213_Q
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

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