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BC298	文件：117.33 Kbytes Page：3 Pages	AUDIO DRIVERS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BF298	文件：142.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIERS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BQ298XYZ	文件：2.04955 Mbytes Page：27 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
BQ298XYZ	文件：1.90946 Mbytes Page：27 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
BQ298XYZ	文件：1.63287 Mbytes Page：29 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries 1Features ?Voltageprotection: –Overvoltage(OV):±10mV –Undervoltage(UV):±20mV ?Currentprotection: –Overcurrentincharge(OCC):±1mV –Overcurrentindischarge(OCD):±1mV –Shortcircuitindischarge(SCD):±5mV ?Temperatureprotection: –Overtemperature(OT) ?Addition	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
BQ298XYZ	文件：1.63497 Mbytes Page：29 Pages	BQ298xyzVoltage,Current,TemperatureProtectorswithanIntegratedHigh-SideNFETDriverforFast/FlashChargingSingle-CellLi-IonandLi-PolymerBatteries 1Features ?Voltageprotection: –Overvoltage(OV):±10mV –Undervoltage(UV):±20mV ?Currentprotection: –Overcurrentincharge(OCC):±1mV –Overcurrentindischarge(OCD):±1mV –Shortcircuitindischarge(SCD):±5mV ?Temperatureprotection: –Overtemperature(OT) ?Addition	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
BSP298	文件：182.43 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?VGS(th)=2.1...4.0V ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP298	文件：170.05 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?VGS(th)=2.1...4.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSP298	文件：3.21345 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUV298AV	文件：395.7 Kbytes Page：7 Pages	NPNTRANSISTORPOWERMODULE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUV298AV	文件：103.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNTRANSISTORPOWERMODULE NPNTRANSISTORPOWERMODULE ■HIGHCURRENTPOWERBIPOLARMODULE ■VERYLOWRthJUNCTIONCASE ■SPECIFIEDACCIDENTALOVERLOADAREAS ■INSULATEDCASE(2500VRMS) ■EASYTOMOUNT ■LOWINTERNALPARASITICINDUCTANCE INDUSTRIALAPPLICATIONS: ■MOTORCONTROL ■SMPS&UPS ■WELDINGEQUIPMEN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUV298V	文件：103.71 Kbytes Page：7 Pages	NPNTRANSISTORPOWERMODULE Generalfeatures ■NPNTransistor ■Highcurrentpowerbipolarmodule ■VerylowRthjunctioncase ■Specificaccidentaloverloadareas ■Fullyinsulatedpackage(U.L.compliant)foreasymounting ■Lowinternalparasiticinductance ■Incompliancewiththe2002/93/ECEuropeanDirective Ap	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUV298V	文件：337.8 Kbytes Page：12 Pages	NPNtransistorpowermodule	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUV298V	文件：429.91 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS):450V(Min.) ·HighReliability ·LowCollectorSaturationVoltage ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highruggednesselectronicignitions ·Highvoltageignitioncoil	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BY298	文件：57.97 Kbytes Page：2 Pages	FastSi-Rectifiers-SchnelleSi-Gleichrichter	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BY298	文件：62.69 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERYPLASTICRECTIFIER(VOLTAGE-100to800VoltsCURRENT-2.0Amperes) VOLTAGE50to1000VoltsCURRENT2.0Amperes FEATURES ?Highcurrentcapability. ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Void-freemoldedplasticpackage ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Fastswitchingforhighefficiency. ?In	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BY298	文件：443.45 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFFASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGERANGE-100to800VoltsCURRENT-2.0Amperes FEATURES Fastswitching Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highcurrentsurge Highreliability	DCCOM Dc Components	DCCOM
BY298	文件：141.83 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPS.FASTRECOVRYRECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 濟南固锝電子濟南固锝電子器件有限公司	JGD
BY298	文件：76.88 Kbytes Page：2 Pages	FASTSILICONRECTIFIERS? Features Lowforwardvoltage Highcurrentcapability Highleakagecurrent Highsurgecapability *Lowcost	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BY298	文件：198.95 Kbytes Page：2 Pages	FastSiliconRectifiers Features ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplication Rectificationofmediumfrequencies,SnubberorBootstrapdiodesCommercialgrade1) MechanicalData1) Tapedinammopack1700 Weightapprox.1g CasematerialUL	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

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晶體管資料

型號：
BC298(-6...-8)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質：
低頻或音頻放大（LF）_TR
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
250MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC328,BC636,BC728,BC828,3CK10E,
最大耗散功率：
0.375W
放大倍數(shù)：
β=500
圖片代號：
D-8
vtest：
30
htest：
250000000
atest：
1
wtest：
0.375

詳細參數(shù)

型號：
BC298
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
AUDIO DRIVERS

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BC298供應商更新時間2024-12-25 15:25:00

晶體管資料

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