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BC337-40RL1G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC337-40RL1G
廠商型號

BC337-40RL1G
參數屬性

BC337-40RL1G 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 45V 0.8A TO92
功能描述

Amplifier Transistors
TRANS NPN 45V 0.8A TO92
封裝外殼

TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
文件大小

146.67 Kbytes
頁面數量

5 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-24 18:26:00
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BC337-40RL1G規(guī)格書詳情

BC337-40RL1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的BC337-40RL1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

? These are Pb?Free Devices

產品屬性

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  • 產品編號：

    BC337-40RL1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    700mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    210MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）

  • 供應商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.8A TO92

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