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BCP55-10	文件：43.44 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplements:BCP51,BCP52andBCP53. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Switching.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BCP55-10	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ?ForAFdriverandoutputstages ?Highcollectorcurrent ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCP55-10	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP51…BCP53(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BCP55-10	文件：480.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BCP55-10	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BCP55-10-Q	文件：247.94 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BCP55-10T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BCP55-10T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BCX55-10	文件：1.88778 Mbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
BCX55-10	文件：720.99 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
BCX55-10	文件：191.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BCX55-10	文件：474.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
BCX55-10	文件：405.58 Kbytes Page：2 Pages	HighCollectorCurrent	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BCX55-10	文件：6.13709 Mbytes Page：5 Pages	NPNTRANSISTOR VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG
BCX55-10	文件：290 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
BCX55-10	文件：298.58 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHSCompliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BCX55-10	文件：146.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BCX55-10	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BCX51,BCX52andBCX53. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesofaudioandvideoamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BCX55-10	文件：531.72 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BCX55-10	文件：1.18577 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ?LowVoltage ?HighCurrent APPLICATIONS ?DriverStagesofAudioAmplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司	BC55-10PAS-QX	NEXPERIA	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢(xún)價(jià)
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更多BC55-10PAS-QX供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 13:45:00

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