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BC556B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC556B
廠商型號(hào)

BC556B

參數(shù)屬性

BC556B 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 65V 0.1A TO92

功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長體

文件大小

358.64 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

BC556B規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

Amplifier Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BC556B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    280MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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