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BC635中文資料先之科半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BC635
廠商型號(hào)

BC635

參數(shù)屬性

BC635 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 45V 1A TO92-3

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件大小

175.17 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 SEMTECH ELECTRONICS LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SEMTECH_ELEC先之科半導(dǎo)體

中文名稱

先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-16 18:09:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BC635(-6...-16)

  • 別名:

    BC635三極管、BC635晶體管、BC635晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC337,BC537,BC737,3DK1150C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    A-20

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

BC635規(guī)格書詳情

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Medium Power Transistors

for driver stages of audio / video amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BC635

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 1A TO92-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILDSEM
2023+
TO-92-3
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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