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BC637分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC637
廠商型號

BC637

參數(shù)屬性

BC637 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 1A TO92

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件大小

121.16 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-5 19:10:00

晶體管資料

  • 型號:

    BC637(-6...-10)

  • 別名:

    BC637三極管、BC637晶體管、BC637晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC487,BC537,3DK14C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-20

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

BC637規(guī)格書詳情

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

High Current Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BC637

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A TO92

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
24+
TO-92
990000
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