BC637G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BC637G |
參數(shù)屬性 | BC637G 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 60V 1A TO92 |
功能描述 | High Current Transistors |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 長體 |
文件大小 |
98.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-13 18:25:00 |
BC637G規(guī)格書詳情
BC637G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的BC637G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號:
BC637G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 長體
- 供應商器件封裝:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A TO92
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ(江蘇長電/長晶) |
23+ |
TO923 |
6000 |
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詢價 | ||
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11+ |
3960 |
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