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BC639分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC639
廠商型號

BC639

參數屬性

BC639 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 80V 1A TO92

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長體

文件大小

121.16 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-4 18:26:00

晶體管資料

  • 型號:

    BC639(-6...-10)

  • 別名:

    BC639三極管、BC639晶體管、BC639晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BC489,BC538,3DK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    A-20

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

BC639規(guī)格書詳情

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

High Current Transistor

產品屬性

  • 產品編號:

    BC639

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO92

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CJ(江蘇長電/長晶)
23+
TO923
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
詢價
CJ
21+
TO92
19085
原裝現貨假一賠十
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只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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ON/安森美
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9000
原裝正品
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ONN
1535+
3862
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