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BC807U-A	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-B	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-C	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation225mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC807W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ?ForgeneralAFapplications ?Highcollectorcurrent ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC807W	文件：155.82 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●ComplementstheBC817W. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeamplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC807W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC807W	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC807W	文件：40.37 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ComplementarytoBC817W.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
BC807W	文件：61.13 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage,forgeneralswitchingandamplification. FEATURES ?Highcurrent ?S-minipackage.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC807W	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Ldeallysuitedforautomaticinsertion ?epitaxialplanardieconstruction ?complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
BC807W	文件：553.84 Kbytes Page：4 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC807W	文件：1.65002 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Ldeallysuitedforautomaticinsertion ?Epitaxialplanardieconstruction ?ComplementarytoBC817W	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BC807W	文件：842.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highcurrent,lowvoltagecomplementarypairwithBC817W. Applications Generalpurposeswitchingandamplification.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BC807W	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC807W	文件：184.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?Epitaxialplanardieconstruction ?ComplementarytoBC817W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807W	文件：228.3 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC807W	文件：585.71 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
BC807W	文件：149.71 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC807W	文件：316.5 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BC807UE6237	INFINEON	23+	N/A	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BC807UE6237	INFINEON	23+	N/A	7000		詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BC807UE6327	INF	24+		96000		詢價(jià)
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更多BC807U-A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 11:00:00

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