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BC808W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ?ForgeneralAFapplications ?Highcollectorcurrent ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC808W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation225mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC808W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD808	文件：104.97 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc ?BD808,810arecomplementarywithBD807,890	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BD808	文件：246.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=30@IC=-2A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) ?ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD808	文件：49.32 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc ?BD808,810arecomplementarywithBD807,890	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BD808	文件：127.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=30@lc=-2A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min) ?ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BL808	文件：1.18922 Mbytes Page：93 Pages	2.4GHzRFtransceiver ?Wireless(Tier-1RFPerformance) –2.4GHzRFtransceiver –Wi-Fi802.11b/g/n –Bluetooth?5.xDual-mode(BT+BLE) –Zigbee/IEEE802.15.4 –Wi-Fi/Bluetooth/ZigbeeCoexistence –Integratedbalun,PA/LNA –SupportExternalPA/LNA ?Microcontroller –Multi-CoreRISC-VCPUs(MaxFreq480M	BOUFFALOALBBouffalo Lab Intelligent Technology Co., Ltd. 博流智能博流智能科技（南京）有限公司	BOUFFALOALB
BR808	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR808	文件：33.25 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR808	文件：68.62 Kbytes Page：1 Pages	SiliconBridgeRectifiers8Ampsto10Amps SiliconBridgeRectifiers8Ampsto10Amps TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-O	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
BR808	文件：95.83 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-200amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR808	文件：93.4 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BR808	文件：47.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR808	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
BR808	文件：403.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR808	文件：93.84 Kbytes Page：6 Pages	BridgeRectifier	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
BR808	文件：144.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BR808	文件：86.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BR808G	文件：33.27 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BC808TC
功能描述：
兩極晶體管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BC808W	NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦	24+	SOT-323	276200	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市力通偉業(yè)半導(dǎo)體有限公司	BC808W	PHI	13+	SOT-323	30009	特價(jià)熱銷(xiāo)現(xiàn)貨庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	BC808W		24+		5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BC808W	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	BC808W	SOT-323	23+	NA	15659	振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	BC808W	Philips	22+23+	Sot-23	29485	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BC808W	PHI	2023+		80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	BC808W	PHILIPS/飛利浦	23+	SOT-323	24190	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)
深圳市百域芯科技有限公司	BC808W	PHILIPS/飛利浦	21+	SOT-323	33400	優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成可13點(diǎn)增值稅	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BC808W	NXP/恩智浦	23+	SOT-323SC-70	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)

更多BC808TC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 10:50:00

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