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BC817U-B	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817U-C	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817UPN	文件：137.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN/PNPSiliconTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817UPN	文件：77.51 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817UPN	文件：530.37 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817V	文件：414.05 Kbytes Page：4 Pages	P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:BC817VP/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC817W	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgradeSuffix-Q:AEC-Q101compliant1)Suffix-AQ:inAEC-Q101qualification1) MechanicalData1) Tapedan	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC817W	文件：779.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorEpitaxialPlanarTransistor Description TheBC817WisdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitablefordriverstoragesandlowpoweroutputstorages. Features ForGeneralAFAppliacations HighCollectorCurrent HighCurrentGain LowCollector-EmitterSaturationVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817W	文件：264.18 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC817W	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC817W	文件：41.28 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ComplementarytoBC807W.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC817W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC817W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817W	文件：49.11 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor ■Features ●ForGeneralAFApplications ●HighCollectorCurrent ●HighCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoBC807W	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC817W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC817W	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC817W	文件：350.74 Kbytes Page：6 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC817W	文件：901.34 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highcurrent,lowvoltagecomplementarypairwithBC807W. Applications Generalpurposeswitchingandamplification.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BC817W	文件：145.84 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC817W	文件：600.2 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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