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BC846S

NPNgeneralpurposeTransistor

FEATURES ●Highcurrentgain. ●ExcellenthFElinearity. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BC846S

NPNgeneralpurposedoubletransistor

Featuresandbenefits ?Twotransistorsinonepackage ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC846S

NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

BC846S-A

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC846S-B

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC846S-C

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC846SH

65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor

Featuresandbenefits ?Lowcollectorcapacitance ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Closelymatchedcurrentgain ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?High-temperatureapplicationsupto175°C

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC846SH-Q

65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor

Featuresandbenefits ?Lowcollectorcapacitance ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Closelymatchedcurrentgain ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?High-temperatureapplicationsupto175°C ?QualifiedaccordingtoA

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC846S-Q

NPNgeneralpurposedoubletransistor

Featuresandbenefits ?Twotransistorsinonepackage ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC846T

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC846CMTF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多BC846CMTF供應商 更新時間2025-3-15 8:12:00

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