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BC846SH-Q	文件：235.76 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits ?Lowcollectorcapacitance ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Closelymatchedcurrentgain ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?High-temperatureapplicationsupto175°C ?QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC846S-Q	文件：222.05 Kbytes Page：11 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits ?Twotransistorsinonepackage ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace ?Nomutualinterferencebetweenthetransistors ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC846T	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC846T	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment ?Electronicdataproce	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC846T	文件：404.87 Kbytes Page：14 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■General-purposetransistors ■SMDplasticpackages ■Twodifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC846T	文件：358.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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