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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BC847AW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC847AW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC847AWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
BC847AW-Q	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847AW-Q	文件：223.53 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Threedifferentgainselections ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BC847AW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V) ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC847B	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) ?CollectorCurrent:0.1A ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC847B	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPTypes:BC856–BC858 ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847B	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?EpitaxialDieConstruction ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?310mWPowerDissipation ?ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC847B	文件：26.82 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC847B	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BC847B	文件：394.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC847B	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>45V ?IC=100mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryPNPType:MMBT3906T ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847B	文件：80.39 Kbytes Page：10 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847B	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847B	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847B	文件：57.75 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORS ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■BC847B-THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISBC857B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BC847B	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847B	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
BC847B	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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