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BC847BV-TP	文件：165.37 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC847BW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BW	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847BW	文件：367 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BW	文件：96.95 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BC847BW	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC847BW	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V) ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：2.86653 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BW	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847BW	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856W-BC858W) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3) ?GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BW	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC847BW	文件：422.78 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
BC847BW	文件：903.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BW	文件：671.73 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPTypes:BC856W–BC858W ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BW	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

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詳細參數(shù)

型號：
BC847BV-T
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 100mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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