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BC847BVC	文件：182.56 Kbytes Page：3 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ?BVCEO>45V ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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BC847BVC	文件：233.54 Kbytes Page：6 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVC-7	文件：182.56 Kbytes Page：3 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ?BVCEO>45V ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVC_09	文件：110.8 Kbytes Page：4 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVC_15	文件：110.8 Kbytes Page：4 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVC_17	文件：233.54 Kbytes Page：6 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVC-7	文件：233.54 Kbytes Page：6 Pages	NPN DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVN	文件：63.33 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson samePCBarea ?ReducedrequiredPC	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847BVN	文件：143.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPN/PNPtransistorpairinaSOT666plasticpackage. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorson samePCBarea ?ReducedrequiredPC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BC847BVN	文件：228.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialDieConstruction ?TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BVN	文件：143.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN/PNPgeneralpurposetransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847BVN	文件：200.96 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneralpurposetransistor Featuresandbenefits ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6mmx1.2mmultrathinpackage ?ReplacestwoSC-75/SC-89packagedtransistorsonsamePCBarea ?ReducedrequiredPCBarea ?Reducedpickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847BVNQ	文件：396.22 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialDieConstruction ?TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) ?TheBC847BVNQaresuitableforautomotiveap	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847BV-TP	文件：165.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC847BW	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC847BW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847BW	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細參數(shù)

型號：
BC847BVC
功能描述：
兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BC847BVC供應商更新時間2025-1-3 10:34:00

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