首頁(yè)>BC847CDW1T1G>芯片詳情

BC847CDW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN弘揚(yáng)芯城

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    BC847CDW1T1G

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    onsemi(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    6000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT363

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-1-17 8:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):BC847CDW1T1G品牌:onsemi(安森美)

誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán)

  • 芯片型號(hào):

    BC847CDW1T1G

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    11 頁(yè)

  • 文件大小:

    110.48 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Dual General Purpose Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    BC847CDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    林書(shū)涵

  • 手機(jī):

    19168708380

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    19168708380

  • 地址:

    深圳市華強(qiáng)北南光捷佳大廈2917