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BC848C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào)	BC848C
參數(shù)屬性	BC848C 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
功能描述	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝外殼	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	60.27 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱	DIODES
中文名稱	Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-5-14 13:10:00
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BC848C規(guī)格書詳情

Features

? Ideally Suited for Automatic Insertion

? Complementary PNP Types: BC856 – BC858

? For switching and AF Amplifier Applications

? Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP capable (Note 4)

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
BC848C
制造商：
MDD
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
系列：
SOT-23
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

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