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BC848CDXV6T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BC848CDXV6T1G
廠商型號(hào)

BC848CDXV6T1G
功能描述

Dual General Purpose Transistors
文件大小

102.33 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-18 9:20:00

BC848CDXV6T1G規(guī)格書詳情

Dual General Purpose Transistors

NPN Duals

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT?563 which is designed for low power surface mount applications.

Features

? These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    BC848CDXV6T1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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