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BC849BW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BC849BW	文件：129.259 Kbytes Page：7 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC849BW	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC849BW	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC849BW	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BC849BW	文件：334.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BC849BW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BC849C	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC849C	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
BC849C	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BC849C	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC849C	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●PNPcomplements:BC859andBC860.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BC849C	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BC849C	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BC849BTC
功能描述：
兩極晶體管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BC849B-TP	MCC	24+	SOT-23	7500		詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	BC849B-TP	Micro	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	BC849B-TP	MICRO	1809+	SOT-23	16750	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	BC849B-TP	Micro Commercial Co	2022+	SOT-23	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司	BC849B-TP				27000	原裝正品老板王磊+13925678267	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BC849B-TP	Micro Commercial Co	24+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BC849BW	PHILIPS	2016+	SOT-323	6528	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨	詢價(jià)
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深圳市利加科技有限公司	BC849BW	NXP	16+	NA	8800	誠信經(jīng)營(yíng)	詢價(jià)

更多BC849BTC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 16:30:00

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