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BC850S-B	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC850S-C	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC850T	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC850W	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC850W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC850W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC850W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC850W	文件：129.259 Kbytes Page：7 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC850W	文件：130.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BC850W	文件：958.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC850W	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC850W	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BD850CS	文件：122.95 Kbytes Page：3 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BD850CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BD850CT	文件：46.98 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BD850CT	文件：147.01 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BD850S	文件：123.48 Kbytes Page：3 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
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BD850YS	文件：148.85 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC

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