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BC856U	文件：91.86 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=-55V ?ComplementarypairwithBC846U	AUK AUK corp	AUK
BC856U	文件：58.32 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage ?BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC856U	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC856U	文件：274.84 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=-55V ?ComplementarypairwithBC846U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
BC856U	文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC856U	文件：324.73 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequir	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC856UF	文件：92.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?Highvoltage:VCEO=-55V ?ComplementarypairwithBC846UF	AUK AUK corp	AUK
BC856UF	文件：184.32 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
BC856V	文件：518.909 Kbytes Page：6 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC856W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC856W	文件：248.77 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ForComplementaryWithNPNTypeBC846W/847W/848W	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC856W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC856W	文件：99.08 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC856W	文件：132.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
BC856W	文件：50.22 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC856W	文件：163.9 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC846W,BC847WandBC848W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BC856W	文件：278.56 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC856W	文件：91.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT200mWatts FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?PNPepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?Complimentary(NPN)Devices:BC846W/BC847W/BC848W/BC849WSeries ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC856W	文件：349.98 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC856W	文件：407.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central

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詳細參數(shù)

型號：
BC856-T
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 65V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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